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熱點新知搶先報
內容簡介
☆全新法規‧重點掃描☆
☆相關試題‧精準解析☆
一、本書特色簡介
1.完善收錄最新法規、學說、實務見解相關內容，體系化編寫。
2.精選重要試題伴隨主要出題概念合併說明，倍增學習速度。
3.新增「全真模擬演練」，精選高命題率之經典考題，並以分為申論題型、測驗題型之方式，供讀者研習後自我演練，提升臨場應試實力。
4.罪欣相關國考試題完善解析，複習衝刺一本書就萬夫莫敵。
二、應試要領
刑法概要此一考科，從準備方式上來說，要經過三個必經的階段：
1.往來穿梭基礎教材與法條之間：
首先，選擇一本適合自己的基礎教科書，由於各家學說博大精深，而且坊間刑法教科書，均分為總則與分則兩部，而較少如本書般專門為刑法概要而撰寫考試用書。因此，讀者應視自己的需要，選擇一本基礎的考試用書，然後配合最新的中華民國刑法條文，採取穿梭式的閱讀方法，瞭解哪一些部分的理論，是刑法條文中有規定的，而哪一些部分的理論，則是條文中沒有規定，但是在考試上具有相當重要性，而必須建立基礎概念者。例如總則第28條有共同正犯的規定，第29條有教唆犯的規定，第30條有幫助犯的規定，不過，我們所說的「間接正犯」這個概念，雖然刑事實務上加以承認，但是卻因為立法上的爭議，使得刑法條文中沒有規定間接正犯的定義，類似這樣的概念，就要在第一個階段好好地、純熟地掌握基礎定義。
2.理解、記憶、整合：
完成第一階段的準備程序後，就必須對基礎概念進行整理與記憶，法條與理論要整合在一起記憶，而總則與分則的法條規定，則要透過的部分去進行篩選，將較重要的條文，例如，總則為第1條至第99條，每一條最好都能記下來，而分則是第100條至第363條，國家考試最主要的部分在測驗考生對於個人法益的理解與應用，因此個人法益的所有條文，都要記下來，也都要熟悉運用的方法，而社會法益與國家法益的條文，就不需要全部記憶，只要記住較重要的部分，例如社會法益中的偽造相關部分，或是國家法益中有關瀆職罪章以及妨害公務罪章的條文，都是考點的熱區，因此在經過的階段之後，要先將這些投資報酬率最高的部分選擇出來，在的階段仔細讀熟，將總則與分則的規定與理論整合在一起。例如總則有共同正犯的概念，分則有「結夥」的規定與「必要共犯」的概念，其概念之間適用範圍如何，具有如何之關係，都要在的階段加以掌握。換句話說，在這個階段裡，考生應該已經掌握了所有的考試重點，並且理解基礎的應用方式。
3.高效率的複習與修正、調整：
在最後的階段，就是要依據所掌握的重點，配合歷屆試題或是模擬試題的實際演練，熟練答題的方式，而在題目的練習上，要以實例題的練習為主，大約要佔8成，而申論題的練習，則最好能挑選概念比較的例題或有助於整合基礎概念的例題來進行練習，避免盲目練習，更忌諱以背題目、背答案的方式來準備實例題與申論題型的考試，務必要踏實地進行筆寫演練，再翻閱教科書之內容與法條之規定對照正確答案，必能大幅提昇自己的刑法實力，達到高效率複習與練習的目標，進而獲取高分，成功上榜。
目錄
第一篇 刑法總則 3
第一章 總 說 4
第二章 犯罪的構成 35
第三章 犯罪的各種型態 85
第四章 正犯與參與犯 132
第五章 競合理論 168
第六章 刑罰、沒收與保安處分 190
第二篇 刑法分則 221
總 說：刑法分則緒論 223
▲單元一 侵害個人法益的犯罪 231
第一章 侵害生命法益的犯罪 232
第二章 侵害身體健康法益的犯罪 262
第三章 侵害自由法益的犯罪 273
第四章 侵害個人名譽與信用的犯罪 304
第五章 侵害秘密的犯罪 311
第六章 侵害個別財產利益的犯罪 318
第七章 侵害整體財產利益的犯罪 356
▲單元二 侵害社會法益的犯罪 368
第一章 侵害公共安全的犯罪 370
第二章 侵害公共信用的犯罪 389
第三章 侵害公序良俗的犯罪 401
▲單元三 侵害國家法益的犯罪 418
第一章 侵害國家存立的犯罪 418
第二章 公務員瀆職罪 426
第三章 侵害國家權力作用的犯罪 437
第四章 妨害司法權正當行使的犯罪 447
第二部份 全真模擬演練 459
▲單元一 申論題型 461
第一回 全真試題 461
第二回 全真試題 467
第三回 全真試題 477
第四回 全真試題 484
第五回 全真試題 491
▲單元二 測驗題型 497
第三部份 最新試題精解 527
一○八年公務人員特種考試一般警察人員（三等）考試「刑法」試題 529
一○八年公務人員特種考試一般警察人員（四等）考試「刑法概要」試題 534
一○八年公務人員高等考試三級考試「刑法」試題 551
一○八年公務人員普通考試「刑法概要」試題 562
一○八年公務人員特種考試移民行政人員（三等）考試「刑法」試題 572
一○八年公務人員特種考試移民行政人員（四等）考試「刑法概要」試題 577
附錄 108年刑法最新修正條文彙編 583
詳細資料
- ISBN：9789574547913
- 叢書系列：
- 規格：平裝 / 608頁 / 17 x 23.4 x 3.04 cm / 普通級 / 單色印刷 / 再版
- 出版地：台灣
- 本書分類：> > >
大眾所知的是，DRAM存儲器市場及先進的工藝集中度很高，當前被少數幾家廠商掌握，據中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket公布的數據顯示，2019年，在全球DRAM內存市場，三星獨占46%的市場份額，海力士占29%，美光占到的市場為21%。 ... 在DRAM內存的春風一波波襲來時，工藝疊代、產品疊代及產能控制，成了DRAM存儲器廠商提升盈利能力的重點。而為了提高生產效益及拉大競爭差距，DRAM存儲大廠已競相推進下一代工藝技術。 關於DRAM存儲器製程工藝，目前先進的DRAM器件均在18nm-15nm區間徘徊，進展緩慢，總是無法做出突破。三星作為內存龍頭一直致力於推動DRAM製程發展，從去年起就有消息傳出將在DRAM製程中引入EUV（極紫外光刻）技術。 自去年開始，有消息稱SK海力士已經向荷蘭ASML下單購買EUV光刻機設備，並有意應用於DRAM製程，但是SK海力士官方並無確認。目前SK海力士最先進的DRAM產品為第三代10nm級（1Z）DRAM，且該產品較上一代1Y產品生產效率提高了約27%，無需極紫外光技術即可生產。 美光在三家中對EUV技術的態度最為保守，有消息稱，美光推遲了EUV的導入，可能推遲至1γnm技術之後，具體什麼時間不確定。目前，美光大規模生產的製程為1Znm工藝，下一代微細化工藝技術被命名為1α、1β和1γnm。 日前，三星宣布已經成功出貨了100萬個基於EUV技術的10nm級（D1X）DDR4模塊。此外，三星還表示，從第四代10nm級（D1α）或更先進的14nm級DRAM存儲器開始，三星會將EUV技術全面應用在下一代DRAM產品中。預計將從2021年開始批量生產基於D1α的DDR5和LPDDR5，將使12英寸晶圓的生產效率提升一倍。 實際上，EUV減少了多重圖形製作中的重複步驟，並提高了圖案的解析度，從而提高了性能、產量並縮短了開發時間。除了晶圓代工邏輯工藝採用EUV成為趨勢，包括臺積電、三星在7nm開始採用EUV技術後，三星計劃擴大應用至DRAM工藝。 此前有消息稱，三星斥資33.8億美元向ASML採購20臺EUV光刻機，不僅用於7/5nm等邏輯工藝，還用在DRAM內存晶片生產上。 ... 作為全球首家在DRAM內存上引入EUV技術的大廠，三星早在2019年11月便已採用EUV技術生產1Z nm的DRAM內存。不過，據知情人士透露，三星在初期的用量不大，在華城17產線與晶圓代工事業部共享EUV設備的方式進行，然後平澤工廠也會啟動EUV技術量產DRAM內存，顯示三星DRAM正式走向EUV技術。 2019年第4季度，在DRAM跌入低谷時，三星成為唯一在DRAM業務上扭虧為盈的主力廠商，原因就是通過向1Y工藝過渡，降低了生產成本。2020年，DRAM主力廠商將逐漸從1Y向1Z過渡。根據三星測算，1Z納米DRAM不用EUV設備的情況下，也比目前1Y納米DRAM產能提升20％。 三星的1Z納米工藝屬於第三代10nm級工藝，但這不代表10nm工藝。目前10nm工藝主要被分為1Xnm、1Ynm、1Znm等，這是因為DRAM在提升小於20nm的製程變得非常困難，所以DRAM內存工藝的線寬指標不再那麼精確；而1Xnm工藝相當於16nm-19nm，1Ynm工藝相當於14nm-16nm，1Znm工藝大概是12nm-14nm級別，在這之後還有1α、1β及1γ工藝。 在三星率先將EUV技術導入1Z納米DRAM後，另外兩大DRAM存儲器廠商——海力士和美光，也透露將考慮評估採用EUV技術，業界預期將可能在1α納米或1β納米世代開始導入。 據悉，SK海力士在韓國利川市新建的DRAM生產工廠中，研發內含EUV技術的DRAM存儲器生產技術。更有消息稱，SK海力士已經向ASML下單購買EUV光刻設備，並有意應用於DRAM製程工藝，不過海力士官方對此並沒確認。目前SK海力士最先進的DRAM產品為第三代10nm級（1Z）DRAM，較上一代1Y產品生產效率提高了約27％，無需EUV技術就可生產。 三星積極地導入EUV技術，海力士也在跟進，美光的動作似乎略顯保守。此前美光在2018年曾提過，即使到了1α及1β工藝節點，也沒有用EUV技術的必要性，不過後來美光態度出現轉變，並表示從進入1Z納米之後將會持續評估用EUV技術的DRAM成本效益，不排除在合適時間點導入EUV設備。有消息稱，美光推遲了EUV的導入，可能推遲至1γnm技術後，具體什麼時間暫時不確定。 隨著上億美元的EUV設備導入，意味著10nm DRAM工藝競賽升溫，也將極大提升DRAM先進工藝領域的準入門檻。在DRAM存儲器廠商陸續進軍1Znm工藝，並布局引進EUV光刻機技術後，對國內DRAM存儲器產業必然會造成一定影響。 ... 目前，國內DRAM內存領域排名第一的本土廠商長鑫存儲，用的是10G1工藝生產DRAM內存，也就是10nm級第一代工藝，更確切地說是19nm工藝，跟三星相比在技術上落後了兩三代。但從長鑫存儲的規劃圖得知，下一代將推出第二代10G3（17nm）技術，計劃在2021年完成對17nm工藝技術的研發，即國產1Xnm工藝將在2021年完成，與國際主流DRAM廠商相比也是有著多達5年的差距。 與邏輯製程工藝的路徑相似，DRAM的物理極限約為10nm左右。從2016年起，DRAM廠商開始用1Xnm節點制不斷逼近物理極限。目前三星已經推進1Znm工藝，後續進入1anm工藝將更加困難。業內人士表示，隨著後續工藝難度的加大，或許將很難維持一年一個工藝的進度，是國內廠商追趕國際一流存儲器大廠，在工藝上縮小差距的好時機。
文章來源取自於：
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